به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت‌های الپیدامموری و اسپنشن اعلام کرده‌اند که موفق به ساخت نخستین فلش مموری 4گیگابیتی NAND از نوع SLC (سلول تک سطحی) با ولتاژ تغذیه‌ی 8/1 ولت شده‌اند. این حافظه‌ی NAND که بر اساس تکنولوژی به دام انداختن بار بیت آینه‌ای (MirrorBit® charge-trapping technology) اسپنشن کار می‌کند، در کارخانه‌ی هیروشیمای الپیدا ساخته شده است. تخصص فنی پیشرفته‌ و همکاری موفق این دو شرکت، توسعه و تولید نخستین حافظه‌ی فلش NAND، با تکنولوژی به دام انداختن بار را ممکن ساخته است.

در مقایسه با فلش مموری NAND با گیت شناور، تکنولوژی به دام انداختن بار قابلیت مقیاس پذیری بیشتری دارد و همچنین ساختار سلولی ساده‌تری دارد که این امر منجر به کارایی بهتر و سرعت بیشتر در خواندن و برنامه‌نویسی می‌شود.

الپیدا قصد دارد که فلش مموری‌ها را برای فروش محصولات سیار، با حافظه‌های RAM مخصوص المان‌های سیار ترکیب کند که در نتیجه‌ی آن، راه‌حل‌هایی را برای مشکلات بازار محصولات سیار فراهم خواهد کرد. این کار منجر به ایجاد ارزش افزوده‌ی بالاتری خواهد شد. به‌علاوه، اسپنشن در حال توسعه‌ی محصولات NAND خود برای بازارهای محصولات جاسازی شده (embedded) و بی‌سیم انتخابی است. این در حالی است که این شرکت به تولید و فروش محصولات فلش مموری NOR خود به بازارهای خودرو، ارتباطات، مصرف‌کننده‌های مستقیم، کاربردهای صنعتی و بی‌سیم انتخابی ادامه خواهد داد.

الپیدا نمونه‌هایی از این حافظه‌ی 4 گیگابیتی 8/1 ولتی را در اواخر سال 2010 به بازار داد و قصد دارد این محصول جدیدرا امسال به تولید انبوه برساند. این شرکت علاوه بر این در حال توسعه‌ی تولید انبوه محصولات 2 گیگابیتی و 1 گیگابیتی خود می‌باشد. شرکت اسپنشن هم در فصل اول امسال نمونه‌هایی از محصول جدید را به مشتریان اولیه در دنیا ارسال خواهد کرد و در فصل دوم امسال هم تولید انبوه آن را آغاز خواهد کرد. همچنین دو شرکت در حال توسعه‌ی محصولات 3 ولتی هستند و قصد توسعه‌ی محصولات 1، 2 و 4 گیگابیتی را در آینده دارند.

لینک دائمی | نسخه مناسب چاپ | ارسال لينك اين صفحه به دوستان |