مركز ميكروالكترونيك بين دانشگاهي، IMEC، در كنفرانس بين المللي مدارهاي حالت جامد (ISSCC)، مرحله ي نهايي استفاده از مدار حلقه ي قفل فاز (PLL) و تقويت كننده ي قدرت در فن آوري CMOS ديجيتال 45 نانومتري را ارائه كرد. اين اجزاي اصلي راهي براي توليد راديوهاي 60 گيگاهرتزي را در سال 2010 گشوده است كه تنها به CMOS ساده متكي خواهد بود و راهكار تك تراشه اي را محقق خواهد كرد. همچنين IMEC مخابره ي بي سيم چند گيگابايت بر ثانيه را با استفاده از مدول 60 گيگاهرتزي خود نشان داد كه اين مدول، تركيبي است از آنتن اختصاصي IMEC و واسط آنتن با تراشه ي RF چند آنتنه ي 45 نانومتري خود.

به گزارش خبرگزاري برق، الكترونيك و كامپيوتر ايران (الكترونيوز) و به نقل از ساينس ديلي، IMEC در حال توسعه ي راديوهاي 60 گيگاهرتز تك تراشه با استفاده از فن آوري CMOS ديجيتال پيشرفته است. قسمت RF به خوبي از مزاياي سرعت مقياس گذاري فن آوري تراشه اي بهره مي برد. CMOS ديجيتال 45 نانومتري نيز امكان دست يابي به سرعت بالا، مصرف پايين و مشخصه هاي فضايي پايين را براي بخش ديجيتال ميسر مي كند. IMEC با توسعه ي راهكارهاي زنجيره اي شكل و دست يابي به آرايه ي آنتن فازي به عملكرد پايين سيگنال به نويز كه به راديوهاي 60 گيگاهرتز مبتني بر سيليكون آسيب مي رساند، غلبه مي كند.

پيشرفت اصلي ابتدايي كه در ISSCC ارائه شد، تحقق بخشيدن به واسطه ي RF گيرنده ي 57 تا 66 گيگاهرتز كنترل شده بصورت ديجيتال در CMOS ديجيتال 45 نانومتري با مقدار نويز تنها 6 دسي بل است. فضاي كوچك 150 در 150 ميكرومترمربعي، مصرف پايين 19 ميلي آمپري در ولتاژ تغذيه ي 1.1 ولت و كنترل تمام ديجيتالي، آن را براي سامانه هاي آرايه فازي مناسب مي كند.

سپس IMEC يك PLL مجتمع 57-66 گيگاهرتزي ارائه كرد. اين PLL كه تمام طرح هاي پيشين را از نظر محدوده ي ميزان سازي (tuning) پشت سر مي گذارد، اولين مداري است كه فازهاي خروجي يك چهارمي در فركانس هاي موج ميليمتري را فراهم مي كند به طوري كه مي تواند بسهولت در يك ساختار zero-IF استفاده شود. اين مدار، تنها 75 ميلي وات در ولتاژ تغذيه ي 1.1 ولت مصرف مي كند.

رودي لوورينز، نايب رييس اداره ي فن آوري سامانه هاي هوشمند در IMEC، گفت: "بر اساس نتايج ارائه شده، مي توانيم به پخش ويدئويي غيرفشرده با كيفيت بالا با 16 مسير آنتني بيش از 10 متر و با مصرف توان 1.6 وات براي گيرنده ي كامل، تحقق بخشيم."

در پايان، IMEC گزارشي از اولين تقويت كننده ي قدرت موج ميليمتري در CMOS ديجيتال 45 نانومتري با توان خروجي تصحيح شده و حفاظت ESD مناسب ارائه كرد. اين تقويت كننده ي قدرت پوش-پول داراي نقطه ي تراكم 1 دسي بل از 11 دسي بل متر بين 50 تا 67 گيگاهرتز در ولتاژ تغذيه ي 1.1 ولت است.

رودي لوورينز افزود: "صنعت به دليل چالش هاي عمده ي مربوط به همين قسمت موج ميليمتري از طيف RF، تمايلي به طراحي مدارهاي 60 گيگاهرتزي ندارد. اين طراحي هاي عالي و براي اولين بار صحيح 60 گيگاهرتزي در CMOS ديجيتال 45 نانومتري نمايانگر مهارت IMEC در طراحي 60 گيگاهرتز و پتانسيل روش شناسي (متدلوژي) طراحي ماست. ما از صنعت دعوت مي كنيم كه به برنامه ي پژوهشي 60 گيگاهرتزي ما بپيوندد تا از اين دانش و فن آوري هاي مجتمع سازي ناهمگن پيشرفته ي IMEC كه نسل دوم راهكارهاي راديوي 60 گيگاهرتز تك تراشه ي واقعي را در سال 2010 ممكن مي كند،‌ بهره مند شوند."

علاوه بر اين، IMEC تراشه ي RF چند آنتني 45 نانومتري خود را با آنتن ها و واسط آنتن اختصاصي IMEC با استفاده از فن آوري PCB تركيب كرد.

لینک دائمی | نسخه مناسب چاپ | ارسال لينك اين صفحه به دوستان |