يك گروه تحقيقاتي در موسسه ي ديتا استوريج A*STAR سنگاپور، ماده ي تغيير دهنده ي فاز جديدي اختراع كرده است كه پتانسيل لازم براي تغيير طراحي دستگاه هاي ذخيره سازي حافظه هاي آينده را دارا مي باشد.

به گزارش خبرگزاري برق، الكترونيك و كامپيوتر ايران (الكترونيوز)، مواد تغييردهنده ي فاز نوع خاصي از مواد مي باشند كه با سرعت بالايي قادر به تغيير ساختار خود بين حالت بي شكل (غيرمتبلور) و حالت بلوري و منظم مي باشند. در حال حاضر اين مواد جهت ساخت حافظه ي تغييردهنده ي فاز (PCM) استفاده مي شوند كه اميدبخش ترين جايگزين براي حافظه هاي فلش مي باشند.

به طو معمول، PCM با استفاده از تغيير دادن ساختار مواد تغييردهنده ي فاز از طريق اعمال يك جريان الكتريكي كار مي كند. هم اكنون، تغيير فاز بوسيله ي تغيير مواد تغييردهنده ي فاز جديد از طريق ميدان هاي مغناصيسي ممكن خواهد بود.

گروه تحقيقاتي DSI، به رهبري شي لوپينگ با مدرك Ph.D، اين اولين ماده ي مغناصيسي تغيييردهنده ي فاز را با نشان دادن اتم هاي آهن درون آلياژهاي ژرمانيوم-آنتيموان-تلوريوم (يا GeSbTe) كه حاوي عناصر غيرمغناصيسي بود، ايجاد كردند.

چونگ تو چونگ، دكترا و مدير اجرايي DSI، گفت: "افزودن ويژگي هاي مغناطيسي به مواد تغييردهنده ي فاز، درهايي را رو به كاربردهاي جديد احتمالي باز مي كند مانند امكان مجتمع سازي حافظه ي تغييردهنده ي فاز درون فن آوري اسپينترونيك (همچنين معروف به مگنتوالكترونيك)، و آن را به عنوان نسل آينده ي فن آوري ذخيره سازي قرار مي دهد."

دكتر شي گفت: "تحقيقات براي توسعه ي موادي كه بتوانند با كاربرد ميدان هاي مغناصيسي تغيير كنند، ادامه دارد. به عنوان گام بعدي، ما اسپينترونيك تغييردهنده ي فاز و كاربردهاي آن را مورد بررسي قرار خواهيم داد. به علت درجه ي آزادي جديد اسپيني كه معرفي كرديم، كاربردهاي محتمل شامل دستگاه هاي جديد با كاركردهاي چندگانه مانند حافظه ها، حسگرها و دستگاه هاي منطقي مي شود."

در مجله ي Nature's Asia Materials به پيشرفت اين تحقيق، توجه ويژه اي گشته است.

لینک دائمی | نسخه مناسب چاپ | ارسال لينك اين صفحه به دوستان |