ترانزیستورهای چاپی می توانند طبق ساختار هندسی قدیمی که چهل سال پیش از این ابداع شده است، عبور جریان کنترل شده بصورت افقی داشته باشند و در چیپ های سیلیکونی مورد استفاده قرار گیرند. متعاقبا، یک ساختار هندسی عمودی نیز می تواند استفاده شود، بنابراین دیگر، طول کانال توسط رزولوشن چاپی معین نمی شود. این امر منجر به یک ترانزیستور کوچکتر خواهد شد که در فرکانس بالاتری کار می کند و قادر به اداره ی جریان های بالاتر می باشد.

دانشگاه کمبریج در انگلستان، نشان داده است که چگونه تولید آنها می تواند ساده تر شود و ORFID در امریکا این امر را به مرحله ی تجاری در می آورد. البته، اگرچه ماتسوشیتا و بسیاری از شرکت های ژاپنی دیگر در مورد ترانزیستورهای چاپی عمودی تحقیقاتی انجام داده اند و حتی در تعداد معدودی از چیپ های سیلیکونی از آن استفاده کرده اند، تنها تعداد اقلیتی از شرکت های تجارت ترانزیستورهای چاپی در حال توسعه ی آنها می باشند که گره کار در مشکلات ساخت و تولید می باشد که در بازده و قیمت محصول خود را نشان می دهد.

البته موارد امیدوارکننده ای برای این مشکل وجود دارد که حتی برای ترانزیستورهای ساتع کننده ی نور و OLED هاجالب به نظر می آید. شرکت ها معمولا سعی دارند تا از نیمه هادی های ارگانیک جهت غلبه بر محدودیت های اجرائی خود استفاده کنند و در عین حال مزایایی همچون قابلیت چاپ و اجتناب از فلزات گرانبها را حفظ نمایند. این وسایل معمولا با نام ترانزیستورهای اثر میدان عمودی (VFET) یا ترانزیستورهای اثر میدان ارگانیک عمودی (VOFET) نامیده می شوند. بنابراین، بطور بالقوه آنها مسیری به سوی چنین چیزهائی به عنوان دستگاه های درایور جریان مانند OLED ها، رسیدن به ویدئوی با سرعت بالا، مدارهائی که به لحاظ مساحت خیلی بزرگ نیستند و ساخت برچسب های RFID ی که در باند UHF و بالاتر کار کنند، می باشند.

بخشی از کارهائی که در این زمینه از سال 2000 به بعد انجام شده است و قابل ذکر است در ذیل آمده است.

اخیرا دانشگاه چیبا با همکاری DaiNippon Printing برای توسعه ی نمایشگرهای قابل انعطاف از این زوایا، کارهائی انجام داده است. یک قسمت از این کار مربوط به پروژه ی دستگاه ارگانیک پیشرفته می باشد که OITDA طی قراردادی با سازمان توسعه ی تکنولوژی صنعتی و انرژی های نو در ژاپن منعقد کرده است.

آنها دریافتند که ترانزیستورهای القائی ایستای ارگانیک (OSIT) قابل انعطاف -یک نوع از ترانزیستور عمودی - مشخصه های الکتریکی پایداری تحت شرایط خمیدگی نشان می دهند. ترانزیستورهای ساتع کننده ی نور ارگانیک (OLET) در شکل نیمه هادی عایق فلزی (MIS قابل چاپ و قابل انعطاف (MIS-OLET) ، حداکثر روشنائی 500cd/m2 و نسبت on/off برابر با 1000 را از خود نشان می دهند. دستگاه های منطقی ارگانیک آنها که بر اساس OSIT ها می باشند دارای ولتاژ عملیاتی پائین تر (-2 ولت تا +2 ولت) از معکوس کننده های ارگانیکی که بر اساس نسخه های افقی می باشند و معمولا به سهولت OFET نامیده می شوند، هستند. دستگاه های منطقی ارگانیک بر اساس TFT های ZnO و پنتاسن ساخته شده اند که ولتاژ تغذیه ی -5 تا -20 ولت و بهره ی 8 از خود نشان می دهند.

OSIT ها مشخصه های الکتریکی پایداری در کشش های همه جانبه و محیطی تا حداکثر شعاع خمش 5 میلی متر از خود نشان می دهند که امکان استفاده به عنوان ترانزیستور را در الکترونیک قابل انعطاف می دهد.(عکس بالا را ببینید.)

نوسان تشعع توسط ولتاژ گیت پائین در حدود ±1 ولت بدست آمد.

نتایج بدست آمده نشان می دهند که ولتاژ عملیاتی معکوس کننده های ارگانیک بر پایه ی OSIT پائین تر (-2 تا +2 ولت) از انواع OFET آن (-40 تا +40 ولت) می باشد.

لینک دائمی | نسخه مناسب چاپ | ارسال لينك اين صفحه به دوستان |