خانه ايميل RSS
امروز:

امکان عاشق شدن و ازدواج با روبات ها تا سال 2050 میلادی
رتبه بندی جذابیت چهره ی زنان با استفاده از کامپیوتر
فناوری وایمکس (WiMAX)، استانداردها و اجرا - قسمت اول
مروری بر استانداردهای مطرح شبکه های بی سیم توان-پائین
ساخت نانو لوله های کربنی رسانا و انعطاف پذیر شبیه شیشه
ذرات نانوي پرانرژي ميتوانند نور خورشيد را به برق تبديل
مصاحبه ای با جاستین رتنر: خداحافظ الکترونیک، سلام اسپی
توليد الكتريسيته از گرماي بدن انسان با استفاده از مدار
ساختار كليد های لمسی خازنی
استفاده از MATHCAD در آموزش مهندسي برق-قدرت


نانوذرات قابلیت چاپ سه بعدی را برای آنتن‌های تلفن‌های همراه فراهم کرده‌اند
ساخت سلول‌های خورشیدی با نیمه‌هادی آلی منفرد
ساعت اتمی در مقیاس تراشه
محققین دانشگاه هاروارد از طریق نانوسیم ها منطق برنامه پذیر می سازند
محققین موفق به ساخت لیتوگرافی تک اتمی در گرافین شدند
پیشرفتی در تولید ادوات نیمه‌هادی با به‌کارگیری نور

آرشيو اخبار


افزايش سرعت Matlab بوسيله فايل هاي MEX
ساختار كليد های لمسی خازنی
فناوری وایمکس (WiMAX)، استانداردها و اجرا - قسمت اول
مروری بر استانداردهای مطرح شبکه های بی سیم توان-پائین
ترانزیستور : شصتمین سالگرد تولد و همچنان سر حال
استفاده از MATHCAD در آموزش مهندسي برق-قدرت

آرشيو مقالات


مصاحبه ای با جاناتان دال، مدیر فروش و بازاریابی IEEE
مصاحبه ای با جاستین رتنر: خداحافظ الکترونیک، سلام اسپینترونیک!
مصاحبه اي كوتاه با Jeffrey Taft: هوشمند كردن شبكه هاي قدرت

آرشيو مصاحبه


نسخه ی 8.6 نرم افزار LABVIEW با امکان پشتیبانی از طراحی چندهسته ای و بی سیم عرضه شد
عرضه ی کتابخانه ی جدیدی برای ابزار MCS جهت تبدیل کدهای MATLAB به C
RF Blockset 2.1 : طراحي و شبيه سازي رفتار سيستم هاي RF و اجزاي آنها در يك سيستم بي سيم

آرشيو نرم افزار



جستجوي پيشرفته

آخرين بروزرساني اين مطلب: May 15, 2008 4:41 PM

asistance

ترانزیستورها عناصری اساسی و ضروری در لوازم الکتریکی هستند که جریان ضعیف الکتریکی را تقویت می کنند. محققین نوع جدیدی از ترانزیستورها را توسعه داده اند که از لحاظ انرژی 50 برابر بهینه تر از مدلهای امروزی هستند. همچنین این ترانزیستورها اولین انواعی هستند که از فن آوری نانو بهره می برند.

به گزارش خبرگزاری برق، الکترونیک و کامپیوتر ایران (الکترونیوز) و به نقل از ساینس دیلی، لارس اریک وارنرسون، استاد فیزیک حالت جامد دانشگاه لاند در سوئد، گفت: "این نوع ترانزیستور می تواند به عنوان مثال مصرف انرژی را در تلفن های همراه و کامپیوترها کاهش دهد بدین ترتیب این لوازم نیاز نخواهند داشت که دفعات زیادی شارژ شوند. بعلاوه این ترانزیستور می تواند ارتباطات را در فرکانس هایی که برای فن آوری امروزی بسیار بالا تصور می شوند، سهولت بخشند."

برخی مواقع محققین با این مانع روبرو شده اند که ترانزیستورها نمی توانند بدون گرمایش زیاد از لحاظ اندازه کوچکتر شوند زیرا الکترونها انرژی زیادی آزاد می کنند.

لارس اریک وارنرسون ابراز داشت: "اما مدل ما از ایندیم ارسنیک ساخته شده است که در آن الکترون ها در مقایسه با سیلیکون (ماده نیمه هادی متداول در ترانزیستورها) آسانتر حرکت می کنند. در واقع، ساختن ترانزیستورها با ایندیم ارسنیک دشوار است اما با به کارگیری فن آوری نانو نسبتاً ساده تر می شود."

بنابراین این ترانزیستور با استفاده از فن آوری نانو ساخته شد. طبق گفته لارس اریک وارنرسون، این بدین معنی است که این ماده به جای قطعه قطعه بودن (روش متداول)، طبق یک قاعده پایین به بالا خود سازماندهی شده است.

در نهایت لارس اریک وارنرسون و همکارانش امیدوارند ترانزیستورهایی تولید کنند که بتوانند بطور کلی در محدوده های فرکانسی جدید ارتباط برقرار کنند. لوازم الکتریکی امروزی از فرکانس های 3 تا 10 گیگاهرتز استفاده می کنند. امیدها برای رسیدن به 60 گیگاهرتز است که محدوده فرکانسی بسیار بالایی می باشد.

وارنرسون افزود: "با 60 گیگاهرتز امکان ایجاد ارتباط در فواصل کوتاه وجود دارد و نه از بین دیوارها. اما این محدوده فرکانسی جدید، ارتباط بی سیم در خانه را توجیه می کند، به عنوان مثال زمانی که شما در حال دانلود یک فیلم یا برقراری ارتباط بین تلویزیون ها و پروژکتورها هستید. ما به یقین می دانیم که لوازم الکتریکی در آینده بیش از بیش فشرده خواهند شد."

دانشمندان دیگری در جهان وجود دارند که در مورد تحقیقی مشابه به عنوان مثال در IBM و در آمریکا کار می کنند اما این محققین سوئدی بشترین پیشرفت را در این زمینه داشته اند.

اخیراً لارس اریک وارنرسون مطلع شد که موسسه تحقیقات استراتژیک سوئد مبلغ 24.5 میلیون کرون سوئد برای توسعه مدارات بی سیم جدید که از فن آوری نانو بهره می برند به وارنرسون پرداخت خواهد کرد. فن آوری ترانزیستور جدید به عنوان اساس مدارات جدید به کار خواهد رفت. این ترانزیستور با همکاری شرکت کونانو تا حدودی توسعه داده شده است.



لینک دائمی | نسخه مناسب چاپ | ارسال لينك اين صفحه به دوستان |


89/11/6 ساخت سریع‌ترین مبدل ADC دوازده بیتی صنعت
89/11/2 کاهش مصرف توان تا پنجاه درصد با میکروکامپیوتر 32 بیتی جدید پاناسونیک
89/8/5 پژوهشگران دانشگاه ریورسایدِ کالیفرنیا موفق به طراحی و ساخت تقویت‌کننده‌ی گرافینی تک‌ترانزیستوری جدیدی شدند
89/7/24 شرکت NXP یک تراشه‌ی انرژی‌سنج جدید ساخت
89/7/19 اعلام آمادگي شرکت Cree براي راه‌اندازی خط تولید ویفر LEDی 150 میلی‌متری
89/7/3 مهندسان دانشگاه MIT با برطرف کردن عیب فراخازن‌ها، قابلیت جایگزینی کامل آن‌ها را به جای باتری‌ها تحقق بخشیدند
89/6/29 شرکت پاناسونیک، LSIهای سیستم 32 نانومتری را تولید و بصورت تجاری عرضه ‌خواهد کرد
89/6/24 ساخت تراشه‌های ممریستوری با همکاری شرکت HP و هاینیکس
89/6/17 ساخت ترانزیستور گرافینی با سرعت 300 گیگاهرتز، توسط پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا
89/6/8 توسعه‌ی روشی جدید برای بهبود آزمایش «خطاهای تأخیر کوچک» (SDD) در نیمه هادی‌ها




IEEE Standards in Education Web Portal
پرتالي براي آموزش استانداردهاي IEEE


تعداد اخبار : 656
تعداد مقالات : 6
تعداد مصاحبه ها : 3
تعداد نرم افزارها : 3
تعداد بازديدها : 218388

تمامي حقوق مادي و معنوي اين سايت متعلق به گروه الكترونيوز می باشد.
Copyright © 2006-2007 ElectroNews.ir , All rights reserved.
Email: info [at] electronews [dot] ir